Зваротны ток - гэта калі напружанне на выхадзе сістэмы вышэй, чым напружанне на ўваходзе, у выніку чаго ток цячэ праз сістэму ў зваротным кірунку.
Крыніцы:
1. корпусны дыёд становіцца прамым, калі MOSFET выкарыстоўваецца для пераключэння нагрузкі.
2. раптоўнае падзенне ўваходнага напружання пры адключэнні крыніцы харчавання ад сістэмы.
Выпадкі, калі неабходна ўлічваць блакаванне зваротнага току:
1. калі мультыплексаваны крыніца харчавання кіруецца MOS
2. Кіраванне АБО.АБО падобна да мультыплексавання магутнасці, за выключэннем таго, што замест выбару крыніцы харчавання для харчавання сістэмы заўсёды выкарыстоўваецца самае высокае напружанне.
3. павольнае падзенне напружання падчас страты магутнасці, асабліва калі выхадная ёмістасць значна большая за ўваходную.
Небяспекі:
1. зваротны ток можа пашкодзіць унутраную схему і крыніцы харчавання
2. скокі зваротнага току таксама могуць пашкодзіць кабелі і раздымы
3. корпусны дыёд MOS павялічвае энергаспажыванне і нават можа быць пашкоджаны
Метады аптымізацыі:
1. Выкарыстоўвайце дыёды
Дыёды, асабліва дыёды Шоткі, натуральна абаронены ад зваротнага току і зваротнай палярнасці, але яны дарагія, маюць высокі зваротны ток уцечкі і патрабуюць рассейвання цяпла.
2. Выкарыстоўвайце спіна да спіны MOS
Абодва напрамкі могуць быць заблакаваныя, але займае вялікую плошчу платы, высокі супраціў праводнасці, высокі кошт.
На наступным малюнку праводнасць кіруючага транзістара, яго калектар нізкая, два PMOS праводнасці, калі транзістар выключаны, калі выхад вышэй, чым уваход, правая частка праводнасці дыёда корпуса MOS, так што ўзровень D роўны высокі, таму ўзровень G высокі, левы бок МОП-дыёда корпуса не праходзіць, і ў той жа час з-за МОП VSG корпуснага дыёда падзенне напружання не дасягае парогавага напружання, таму два MOS адключаюцца, што блакуе выхад на ўваходны ток.Гэта блакуе ток ад выхаду да ўваходу.
3. Зваротны MOS
Зваротны MOS можа блакаваць выхад на ўваход зваротнага току, але недахопам з'яўляецца тое, што заўсёды ёсць шлях корпуса дыёда ад уваходу да выхаду, і недастаткова разумны, калі выхад больш, чым уваход, не можа павярнуцца ад MOS, але таксама неабходна дадаць схему параўнання напружання, так што пазней ідэальны дыёд.
4. Перамыкач нагрузкі
5. Мультыплексаванне
Мультыплексаванне: выбар аднаго з двух ці больш крыніц уваходу паміж імі для харчавання аднаго выхаду.
6. Ідэальны дыёд
Ёсць дзве мэты пры стварэнні ідэальнага дыёда: адна - мадэляванне Шоткі, а другая - неабходная схема параўнання ўводу-вываду, каб адключыць яго ў зваротным парадку.
Час публікацыі: 10 жніўня 2023 г